Nova unidade da Mitsubishi focará em semicondutores de carbeto (imagem ilustrativa/PM)
A Mitsubishi Electric realizou, na quarta-feira (1º), uma cerimônia para marcar a conclusão de uma nova unidade de produção de semicondutores de potência em uma planta em Kikuchi (Kumamoto).
A nova instalação começará a operar em novembro, e a empresa planeja iniciar a produção em massa em 2027.
Semicondutores de potência, que controlam correntes e tensões elétricas, são utilizados em veículos elétricos e eletrodomésticos. A nova unidade fabricará os de carbeto de silício, cuja demanda relacionada a veículos elétricos deverá crescer no médio a longo prazo, graças à maior eficiência energética em comparação com os chips à base de silício.
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A empresa adiou parte de seu plano de aprimoramento de equipamentos para a nova unidade para o ano fiscal de 2031 e além, devido a um aumento na demanda de mercado de veículos elétricos menor do que o esperado.
“Decidiremos quantas linhas de produção vamos instalar após analisar as condições do mercado e outros fatores”, afirmou o presidente da Mitsubishi Electric, Kei Uruma, aos repórteres.
A instalação de seis andares, com uma área total de 42 mil metros quadrados, foi construída como parte da planta Shisui da empresa, a um custo total de cerca de ¥100 bilhões (US$680 milhões).
Ela será responsável pelo processo de gravação de circuitos em wafers.
Fonte: JT
